Ученые из Университетского колледжа (Лондон) смогли разработать первую микросхему оперативной памяти, которая основана на чистом оксиде кремния и может свободно функционировать в любых внешних условиях. Изобретение дает возможность для начала работы по созданию новой сверхбыстрой памяти.
В новом изобретении в качестве основы микросхемы служат такие материалы, электрическое сопротивление которых может меняться при подаче напряжения. Причем, устройства способны запомнить изменения даже в тот момент, когда отключается электропитание. Новые микросхемы уникальны тем, что обладают большими объемами памяти, чем все современные технологии. Кроме того, они потребляют в разы меньше энергии и занимают мало места.
Оксид кремния в изобретении играет роль переключателя сопротивления в разы эффективнее, чем все материалы, которые были изучены ранее. Порядок расположения атомов в твердом оксиде кремния меняется для того, чтобы сформировать кремниевые волокна, которые по своей сути являются менее резистивными. Именно эти волокна, а точнее, их наличие или отсутствие, служат своеобразным переключателем из одного состояния в другое. Новая микросхема совершенно не нуждается в вакууме. Она в разы прочнее и дешевле. Кроме того, благодаря ее прозрачному дизайну, в будущем ее можно будет использовать в мобильных телефонам и любых устройствах, обладающих сенсорными экранами.
Авторы изобретения уже получили патент на него и сейчас ведут переговоры по сотрудничеству сразу с несколькими крупными компаниями, которые занимаются производством полупроводников.
По словам ученых, новая микросхема энергозависимой оперативной памяти требует для работы лишь тысячную часть всей энергии и работает в сотни раз быстрее, чем все стандартные микросхемы флеш-памяти. Эти слова подтверждены практическими испытаниями. То, что устройство может успешно работать во внешних условиях и обладает изменяемым сопротивлением, в разы расширяет возможные области его применения. Кроме того, устройство могут применять для того, чтобы поддерживать изменяемое сопротивление, которое зависит от последней подачи напряжения. Свойство позволяет устройству в некоторой степени имитировать способ работы нервных клеток в мозге человека. Все устройства, которые работают по этому принципу, называют «мемристрами», к которым сейчас проявляется большой интерес со стороны ученых.
